द्रुत स्विच Thyristor

विवरण:

फास्ट स्विच thyristor, समान संरचना र चरण नियन्त्रण thyristor को प्रतीक संग, जबकि राम्रो स्थिर विशेषताहरु, विशेष गरी गतिशील विशेषताहरु सुधार, काटने, इन्भर्टर र आवृत्ति रूपान्तरण सर्किट को उच्च आवृत्ति आवेदन द्वारा आवश्यक छ।द्रुत thyristor को गतिशील प्यारामिटरहरू छिटो टर्न-अन गति र टर्न-अन विस्तार गति, कम रिभर्स रिकभरी चार्ज, र छोटो टर्न-अफ समय, अन-स्टेट वर्तमान (di/dt) को उच्च महत्वपूर्ण वृद्धि दर र क्रिटिकल रेट हुन्। अफ-स्टेट भोल्टेजको वृद्धि (dv/dt)।रेटेड फ्रिक्वेन्सी भित्र द्रुत थाइरिस्टरको मूल्याङ्कन गरिएको वर्तमान फ्रिक्वेन्सी बढ्दा घट्दैन वा थोरै घट्छ।

RUNAU Electronics को द्रुत स्विच थायरिस्टर उत्पादन मानक र प्रशोधन प्रविधि सन् १९८० को दशकदेखि अमेरिकाबाट ल्याइएको थियो, चीनमा थायरिस्टर उत्पादन गर्ने अग्रगामीको रूपमा, RUNAU को प्राविधिक टोलीले ३० वर्षभन्दा बढी समयदेखि अत्याधुनिक ज्ञान र पर्याप्त उत्पादन अनुभव हासिल गरेको थियो।परम्परागत निर्माण प्रक्रियाको आधारभूत आधारमा, RUNAU Electronics का प्रतिभाशाली प्राविधिकहरूले युरोपेली उत्पादनहरूको फाइदा सुविधाहरू सहित thyristor निर्माणमा अत्याधुनिक प्रविधिको विकास गरेका थिए, गुणस्तर र कार्यसम्पादनमा धेरै सुधार भएको छ, पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूमा प्राप्त थप ठूलो जीतहरू, र साझेदारहरूको लागि थप मूल्य सिर्जना गरियो।

परिचय:

1. चिप

RUNAU Electronics द्वारा निर्मित thyristor चिपमा sintered alloying प्रविधि प्रयोग गरिएको छ।सिलिकन र मोलिब्डेनम वेफर उच्च भ्याकुम र उच्च तापक्रम वातावरण अन्तर्गत शुद्ध एल्युमिनियम (99.999%) द्वारा मिश्रित गर्नका लागि सिंटर गरिएको थियो।sintering विशेषताहरु को प्रशासन thyristor को गुणस्तर मा असर गर्ने प्रमुख कारक हो।मिश्र धातु जंक्शन गहिराई, सतह समतलता, मिश्र धातु गुहा साथै पूर्ण प्रसार कौशल, रिंग सर्कल ढाँचा, विशेष गेट संरचना व्यवस्थापन गर्नका साथै RUNAU इलेक्ट्रोनिक्सको ज्ञान।साथै यन्त्रको क्यारियर लाइफ घटाउनको लागि विशेष प्रशोधन प्रयोग गरिएको थियो, ताकि आन्तरिक वाहक पुन: संयोजन गति धेरै छिटो हुन्छ, यन्त्रको रिभर्स रिकभरी चार्ज कम हुन्छ, र स्विचिङ गतिलाई फलस्वरूप सुधार गरिन्छ।त्यस्ता मापनहरू द्रुत स्विचिङ विशेषताहरू, अन-स्टेट विशेषताहरू, र वर्तमान सम्पत्ति वृद्धिलाई अनुकूलन गर्न लागू गरिएको थियो।thyristor को प्रदर्शन र प्रवाह सञ्चालन विश्वसनीय र कुशल छ।

2. इन्क्याप्सुलेशन

मोलिब्डेनम वेफर र बाह्य प्याकेजको समतलता र समानान्तरको कडा नियन्त्रण गरेर, चिप र मोलिब्डेनम वेफरलाई बाह्य प्याकेजसँग कडा र पूर्ण रूपमा एकीकृत गरिनेछ।यसले सर्ज वर्तमान र उच्च सर्ट सर्किट वर्तमानको प्रतिरोधलाई अनुकूलन गर्नेछ।र इलेक्ट्रोन वाष्पीकरण टेक्नोलोजीको मापन सिलिकन वेफर सतहमा बाक्लो एल्युमिनियम फिल्म सिर्जना गर्न प्रयोग गरिएको थियो, र मोलिब्डेनम सतहमा प्लेट गरिएको रुथेनियम लेयरले थर्मल थकान प्रतिरोधलाई धेरै बढाउँदछ, द्रुत स्विच थाइरिस्टरको कार्य जीवन समय उल्लेखनीय रूपमा बढाइनेछ।

प्राविधिक विनिर्देश

1. RUNAU इलेक्ट्रोनिक्स द्वारा निर्मित मिश्र धातु प्रकार चिप संग द्रुत स्विच थायरिस्टर, I को दायरा_TAV200A देखि 4000A सम्म र V_DRM/V_RRM1200V देखि 4500V सम्म।
2. I_GT, वि_GTर म_H25 ℃ मा परीक्षण मानहरू हुन्, अन्यथा नभनेसम्म, अन्य सबै प्यारामिटरहरू T अन्तर्गत परीक्षण मानहरू हुन्।_jm;
3. I²t = म²F SM×tw/2, tw= साइनसाइडल हाफ वेभ वर्तमान आधार चौडाइ।50Hz मा, I²t=0.005I²FSM(A²एस);
4. 60Hz मा: I_FSM(8.3ms) = I_FSM(10ms) × 1.066, T_j=T_j;म²t(8.3ms) = I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

प्यारामिटर: