चरण नियन्त्रण थायरिस्टर (फ्री फ्लोटिंग प्रकार)

विवरण:

कन्भर्टर उपकरणको बढ्दो शक्ति र क्षमताको विकासको साथ, विशेष गरी HVDC प्रसारण, युनिट थाइरिस्टरको उत्पादन शक्ति क्षमता तदनुसार बढाउन अनुरोध गरिन्छ, जसले श्रृंखला र समानान्तर जडान सर्किटमा थाइरिस्टरको स्थापना मात्रा घटाउनेछ।यन्त्रको साइज र तौल घटाइनेछ, कम लगानी, हाल र भोल्टेज पनि सजिलै प्राप्त हुनेछ, भरपर्दो सञ्चालन र व्यावसायिक मूल्य उल्लेखनीय रूपमा बढाइनेछ।

उच्च शक्ति उच्च वर्तमान thyristor निर्माण गर्न नि: शुल्क फ्लोटिंग सिलिकन टेक्नोलोजीले उच्च मानक अनुप्रयोग आवश्यकता पूरा गर्नेछ।र 2019 जुलाईमा, RUNAU Electronics ले 5” चिपको साथ 5200V thyristor सफलतापूर्वक विकास गरी चीन HVDC परियोजनामा ​​आवेदन दिने ग्राहकलाई आपूर्ति गरेको थियो।

परिचय:

1. चिप

RUNAU Electronics द्वारा निर्मित उच्च स्तरको thyristor चिप फ्री फ्लोटिंग टेक्नोलोजी लागू गरिएको छ।यो उच्च शक्ति उच्च भोल्टेज thyristor निर्माण को लागी नवीनतम र परिपक्व प्रविधि को रूप मा राम्रो संग मान्यता प्राप्त छ।यो व्यापक रूपमा विश्व स्तरका निर्माणहरू द्वारा लागू गरिएको छ।

भोल्टेज प्रतिरोध बढाउन, अन-स्टेट भोल्टेज ड्रप घटाउन, र ट्रिगर र गतिशील विशेषताहरू सुधार गर्नको लागि प्रसार प्रक्रिया घनत्व र चौडाइमा अनुकूलित गरिएको थियो।नयाँ फोटोलिथोग्राफी ढाँचा di/dt र dv/dt सुविधा बढाउन डिजाइन गरिएको थियो।सिलिकन वेफर र क्याथोड सतहको किनारा जोगाउन चिपको सम्पर्क संरचना पुन: निर्माण गरिएको थियो, रिभर्स भोल्टेज प्रदर्शन धेरै सुधार हुनेछ।

2. इन्क्याप्सुलेशन

फ्री फ्लोटिंग सिलिकन टेक्नोलोजीको फाइदा भनेको सिलिकन र मोलिब्डेनम वेफर बीचको विकृति हो जुन धेरै रोकिन्छ र मोलिब्डेनम वेफरको खपत कम हुन्छ।जबकि प्याकेजको सिलिकन वेफर र कपर ब्लकको समतलता अत्यधिक आवश्यक छ साथै समानान्तरता र खुरदरा आवश्यकता मिश्रित चिप टेक्नोलोजी भन्दा बढी छ।निरन्तर सुधार र नवप्रवर्तनद्वारा, RUNAU Electronic ले सबै प्राविधिक कठिनाइ र अवरोधहरू पार गरेको छ।फ्री फ्लोटिंग टेक्नोलोजी, भरपर्दो प्रदर्शन र व्यावसायिक कुशल समाधानको साथ उच्च शक्ति उच्च भोल्टेज थायरिस्टर विकास गरी ग्राहकहरूलाई प्रदान गरिएको थियो।तीमध्ये धेरैजसो हाई पावर कन्ट्रोलेबल रेक्टिफायर, हाई भोल्टेज सफ्ट स्टार्टर, एचभीडीसी पावर ट्रान्समिसन, लोकोमोटिभ ट्र्याक्सन, डायनामिक रिएक्टिभ पावर कम्पेन्सेसन र पल्स पावर एप्लिकेसन सिस्टममा जडान गरिएका छन्।

प्राविधिक विनिर्देश

1. RUNAU इलेक्ट्रोनिक्स द्वारा निर्मित मिश्र धातु प्रकार चिप संग चरण नियन्त्रित थायरिस्टर, दायरा I_TAV350A देखि 5580A र V सम्म_DRM/V_RRM3400V देखि 8500V सम्म।
2. I_GT, वि_GTर म_H25 ℃ मा परीक्षण मानहरू हुन्, अन्यथा नभनेसम्म, अन्य सबै प्यारामिटरहरू T अन्तर्गत परीक्षण मानहरू हुन्।_jm;
3. I²t = म²F SM×tw/2, tw= साइनसाइडल हाफ वेभ वर्तमान आधार चौडाइ।50Hz मा, I²t=0.005I²FSM(A²एस);
4. 60Hz मा: I_FSM(8.3ms) = I_FSM(10ms) × 1.066, T_j=T_j;म²t(8.3ms) = I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

प्यारामिटर: