चरण नियन्त्रण थायरिस्टर (मिश्रित प्रकार)

विवरण:

Thyristor, जसलाई सिलिकन कन्ट्रोल रेक्टिफायर (SCR) पनि भनिन्छ, तीन PN संरचनाहरू मिलेर बनेको उच्च-शक्ति अर्धचालक उपकरण हो।कार्यसम्पादनको सन्दर्भमा, थायरिस्टरसँग एकदिशात्मक चालकता मात्र छैन, तर सिलिकन रेक्टिफायर तत्व भन्दा पनि धेरै मूल्यवान नियन्त्रण योग्यता छ, जुन केवल दुईवटा कन्डक्शन र अफ-स्टेट, सानो शक्तिको साथ ठूलो शक्ति नियन्त्रण गर्न, सयौंसम्म शक्ति प्रवर्द्धन गर्न वा। हजारौं पटक।प्रतिक्रिया धेरै छिटो हुन्छ, माइक्रो-सेकेन्डमा सक्रिय र बन्द हुन्छ।गैर-सम्पर्क सञ्चालन, कुनै स्पार्क, कुनै आवाज छैन, जबकि उच्च दक्षता र कम लागत।तसर्थ, विशेष गरी उच्च पावर आपूर्ति प्रणालीमा, thyristor व्यापक रूपमा रेक्टिफायर सर्किट, स्थिर बाइपास स्विच, सम्पर्क-रहित आउटपुट स्विच र अन्य सर्किटहरूमा प्रयोग गरिएको छ।

RUNAU Electronics को thyristor उत्पादन मानक र प्रशोधन प्रविधि सन् 1980 देखि संयुक्त राज्य अमेरिकाबाट ल्याइएको थियो, चीनमा thyristor उत्पादन गर्ने अग्रगामीको रूपमा, RUNAU को प्राविधिक टोलीले 30 वर्ष भन्दा बढीको लागि अत्याधुनिक ज्ञान र पर्याप्त उत्पादन अनुभव प्राप्त गरेको थियो।परम्परागत निर्माण प्रक्रियाको आधारभूत आधारमा, RUNAU Electronics का प्रतिभा प्राविधिकहरूले युरोपेली उत्पादनहरूको फाइदा सुविधाहरू सहित thyristor निर्माणमा अत्याधुनिक प्रविधिको विकास गरेका थिए, गुणस्तर र कार्यसम्पादनमा धेरै सुधार भएको छ, पावर इलेक्ट्रोनिक्सको प्रयोगमा प्राप्त थप ठूलो जीतहरू। क्षेत्रहरू, र साझेदारहरूको लागि थप मूल्य सिर्जना गरिएको थियो।

परिचय:

1. चिप

RUNAU Electronics द्वारा निर्मित thyristor चिपमा sintered alloying प्रविधि प्रयोग गरिएको छ।सिलिकन र मोलिब्डेनम वेफर उच्च भ्याकुम र उच्च तापक्रम वातावरण अन्तर्गत शुद्ध एल्युमिनियम (99.999%) द्वारा मिश्रित गर्नका लागि सिंटर गरिएको थियो।sintering विशेषताहरु को प्रशासन thyristor को गुणस्तर मा असर गर्ने प्रमुख कारक हो।थाइरिस्टरको भरपर्दो र उच्च कुशल कन्डक्शन अपरेशनलाई सक्षम बनाउन मिश्र धातु जंक्शन गहिराई, सतह समतलता, मिश्र धातु गुहा साथै पूर्ण प्रसार कौशल, केन्द्र गेट, रिंग सर्कल ढाँचा व्यवस्थापन गर्नका लागि RUNAU इलेक्ट्रोनिक्सको ज्ञान कसरी प्रयोग गरियो। उच्च गुणस्तर प्रदर्शन सुनिश्चित गर्नुहोस्।

2. इन्क्याप्सुलेशन

मोलिब्डेनम वेफर र बाह्य प्याकेजको समतलता र समानान्तरको कडा नियन्त्रण गरेर, चिप र मोलिब्डेनम वेफरलाई बाह्य प्याकेजसँग कडा र पूर्ण रूपमा एकीकृत गरिनेछ।यसले सर्ज वर्तमान र उच्च सर्ट सर्किट वर्तमानको प्रतिरोधलाई अनुकूलन गर्नेछ।र इलेक्ट्रोन वाष्पीकरण टेक्नोलोजीको मापन सिलिकन वेफर सतहमा बाक्लो एल्युमिनियम फिल्म सिर्जना गर्न प्रयोग गरिएको थियो, र मोलिब्डेनम सतहमा प्लेट गरिएको रुथेनियम लेयरले थर्मल थकान प्रतिरोधलाई धेरै बढाउँदछ, थाइरिस्टरको कार्य जीवन समय उल्लेखनीय रूपमा बढ्नेछ।

प्राविधिक विनिर्देश

1. RUNAU इलेक्ट्रोनिक्स द्वारा निर्मित मिश्र धातु प्रकार चिप संग चरण नियन्त्रित थायरिस्टर, दायरा I_TAV300A देखि 6000A सम्म र V_DRM/V_RRM800V देखि 4400V सम्म।
2. I_GT, वि_GTर म_H25 ℃ मा परीक्षण मानहरू हुन्, अन्यथा नभनेसम्म, अन्य सबै प्यारामिटरहरू T अन्तर्गत परीक्षण मानहरू हुन्।_jm;
3. I²t = म²F SM×tw/2, tw= साइनसाइडल हाफ वेभ वर्तमान आधार चौडाइ।50Hz मा, I²t=0.005I²FSM(A²एस);
4. 60Hz मा: I_FSM(8.3ms) = I_FSM(10ms) × 1.066, T_j=T_j;म²t(8.3ms) = I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

प्यारामिटर: